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      10n60 9.5A/600V場效應管參數PDF中文資料-半導體原廠-KIA MOS管

      信息來源:本站 日期:2018-10-11 

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      10n60場效應管參數
      場效應管10n60產品特征-KIA10N60H

      可易亞設計了KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速度的功率開關應用,如高效率的開關電源。電源,有源功率因數校正,電子鎮流器基于半橋式,以消光。

      1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V

      2、低門電荷(典型的44nC)

      3、快速交換能力

      4、雪崩能量指定值

      5、改進的dv/dt能力

      10n60場效應管參數-KIA10N60H

      產品型號:KIA10N60H

      工作方式:9.5A/600V

      漏源極電壓:600V

      柵源電壓:±30V

      漏電流脈沖:38.0*A

      結溫:+150℃

      貯存溫度:-55℃至150℃

      KIA10N60H標準封裝

      10n60場效應管參數 9.5A/600V

      KIA10N60H電路圖

      10n60場效應管參數 9.5A/600V

      10n60場效應管參數 9.5A/600V

      KIA10N60H產品附件

      以下為KIA10N60H產品PDF格式的產品詳細資料,查看詳情請點擊下圖。

      10n60場效應管參數 9.5A/600V



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