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      結型場效應管-結型場效應管結構和符號、特性曲線-KIA MOS管

      信息來源:本站 日期:2017-07-17 

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      結型場效應管

      1.構造與符號

      結型場效應管的構造表示圖及其表示符號如圖2-31所示。

      在圖2-31(a)中,s表示Source,源極;D表示Drain,漏極;G表示Gate,柵極。在漏極和源極之間加上一個正向電壓后,N型嗲電子半導體中的多數載流子(電子)便能夠導電了。這種導電溝道是N型的場效應管,稱為N溝道結型場效應管。


      圖2-31 (b)中的場效應管在P型硅棒的兩側制成了高摻雜的N型區(N+),其導電溝道為P型,多數載流子為空穴。


      2.結型場效應管的特性曲線

      1)轉移特性曲線

      轉移特性曲線表達當UDS一定時,柵源電壓Ucs對漏極電流iD的控制造用,即

      理論剖析和實測結果標明,iD與ucs契合平方律關系,即


      式中,IDSS為飽和電流,表示UGS=o時的iD值;UP為夾斷電壓,表示UGS=Up時iD為零。


      由此可見,結型MOS場效應管轉移特性曲線是用來闡明在一定的漏源電壓u陌時,柵源電壓UGS和漏極電流iD之間變化關系的曲線。JFET的轉移特性曲線如圖2-32所示。


      為了使輸入阻抗大(不允許呈現柵流ic),也為了使柵源電壓對溝道寬度及漏極電流有效地停止控制,PN結一定要反偏,因而在N溝道JFET中,uGS必需為負值。


      2、輸出特性曲線

      輸出特性曲線表達當柵源電壓UGS,不變時,漏極電流iD與漏源電壓UDS的關系,即


      由此可見,輸出特性曲線表示的足以Ucs為參變量時iD與UDS的關系。JFET的輸出特性曲線如圖2-33所示,依據特性曲線的各局部特征,能夠將其分為四個區域,如圖中所示。


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