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      半導體MOSFET和MESFET有什么區別,基本原理是什么?

      信息來源:本站 日期:2017-07-27 

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        MESFET并不是MOSFET的筆誤,而是另一種功率JFET,它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的縮寫,大致含義是“金屬—半導體場效應管”。

         MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結構(圖1.24)。就PN結的特性而言,與肖特基二極管并無本質上的區別。眾所周知,肖特基勢壘的基本結構就是“Metal-Semiconductor”(金屬-半導體),MESFET也是由此得名。雖然都是橫向溝道,但是MESFET的溝道更短。

         MESFET的肖特基勢壘柵極通常采用的材料為GaAs(Gallium  Arsenide,砷化鎵),新一代半導體材料InP(Indium Phosphide,磷化銦)和SiC( SiliconCarbide,碳化硅)也開始有應用。

         從工作模式來看,MESFET也有增強型與耗盡型之分,這一點與MOSFET是相近的,其實,它的肖特基勢壘柵極與MOS柵極也是有相似之處的。

         MESFET主要作為功率微波器件用在“固態”發射機上,工作頻率可達45GHz以上,比JFET和MOSFET都要高。